管制造，组装工艺和元器件结构等方面入手，创造性地研发出一套高性能碳管S器件的无掺杂制造方法。
最近更是取得了突破性的进展，首次制造出了5nm栅极碳纳米管CMOS器件，它的工作速度2倍于牙膏厂最新的商用硅晶体管，能耗却只有其的1/4，这表明了在10nm以下碳纳米管CMOS器件比硅基CMOS器件具有明显的性能优势。
而且圆明园职院的团队在高性能碳基晶体管和高质量碳纳米管材料方面，对国外的团队具有明显的领先优势。
另外，与国外的技术路线相比，国内的碳基芯片在生产工艺上也有很大的不同。
国内目前的碳基芯片制备流程还十分初级和原始，完善的空间还很大，大概是这样的：
第一步是把碳纳米管提纯到99.9999%，俗称6个9的纯度之后，得到半导体碳纳米管，只有这个纯度或者以上的碳纳米管才可以用于集成电路。
第二步是以单链DNA控制碳纳米管搭建成集成电路所需要的各种结构，自动形成对应的组装体。
到这一步，这些自动组装而成的组装体，全部都还泡在溶液之中。
第三步则是要制作出真正的电路，这需要将DNA完成的组装体规则地搭建在基片上。
这需要在基板上贴一层膜，随后使用光刻机等设备在基片上刻出与组装体对应的纳米级图形，然后把包含着组装体的溶液滴在基片上。
这样一来，溶液里面的组装体就会在基片上面散布开来，但是只有恰好与纳米图形相合的组装体才能落入基片里，其他排列不整齐的组装体，都留在了基片
第240章 国内外的碳基芯片进展(3/4)